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UV光催化氧化設（shè）備中光催化（huà）劑：
自70年代初發現二氧（yǎng）化鈦電極/具（jù）有（yǒu）光（guāng）照下分解水（shuǐ）的功能以來，有關二氧化鈦半導體光催化劑的研究成為環境領域的一個熱點。
UV光催化氧化設備中TiO2 的光（guāng）催化機（jī）理：
半導體的能帶結構通常是由一個（gè）充滿電（diàn）子的低能價帶（dài）和一個空（kōng）的高能價（jià）帶構成，它們之間的（de）區域稱為禁帶。禁帶是一個不連續區域（yù）.當能量大於或等於半導體帶隙能的光波輻射此半導體催化劑時，處於價（jià）帶的電子(e)就會被激發到導帶上，價帶生成空穴(h+)，從而在半（bàn）導體表麵產生具有高度活（huó）性的空（kōng）穴/電子對（duì）。TiO2 的帶隙能為 3.2ev，相當於波長為387.5nm光子的能量，當TiO2 受到波長小於 387.5nm的紫外光照射時，處於價帶的電子就會被激發到導帶上去，從而分別在（zài）價帶和導帶上產生高活性的光生空穴和（hé）光生電子。在（zài）電場的作用下，電子與空穴發生分離（lí），遷移到粒（lì）子（zǐ）表麵的不同位置。熱力學理論表明，分布在TiO2表麵的空穴可以將吸附在其表麵的OH-和（hé）H2O分（fèn）子氧化成•OH，而電子(e-)具有很強的還原性，可使得TiO2固體表麵的電子受（shòu）體如O2 被還原。O2 既可（kě）以抑製（zhì）光催化劑上電子和空穴的複合，提高反應效率，同時也（yě）是氧化劑，可以氧化已經羥化的反應產（chǎn）物，是表麵羥基自由基的另一個來源。締合在Ti4+表麵的•OH的氧（yǎng）化能力是（shì）水體中存在（zài）的氧化劑中較強的，能夠氧化大部（bù）分的有機汙染物及部分無機汙染物，將其蕞終降解為CO2、H2O等無（wú）害物質，並且對反應物幾乎無選擇性（xìng），因而在光催化氧化中起著決定性的作用。
用半導體光催（cuī）化分解（jiě）毒性有機物有兩個（gè）優點：
一，適當選擇催化劑（jì），可以利用太陽能（néng）處理毒物，節約能源；
二，一些半導體（tǐ）的光生空穴具有很強的氧（yǎng）化能力，能降解（jiě）絕大多數有（yǒu）機物質，而（ér）且能將（jiāng）它們蕞後分解為二氧化碳、水和無機物（wù），避免了用化學方法（fǎ）處理帶來的二次（cì）汙染。
