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從理論（lùn）研究到實際應用，UV光催化氧化工藝在（zài）廢氣淨化是（shì）一項成熟的工（gōng）藝，工（gōng）藝有（yǒu）效性的關鍵（jiàn）在於紫（zǐ）外線的強度和催化劑的（de）催化（huà）能力以及催化（huà）時間。從光觸媒空氣淨化器到UV光催化氧化設備，能夠發現（xiàn）許（xǔ）多非常不科學的設計，例如廢氣（qì）在（zài）處理設備中的停留時間；催化劑的麵積（jī）；催（cuī）化劑（jì）的純度和TiO2的納米直徑；催化劑的固化結構；紫外線燈的設（shè）置（數量、距離），都（dōu）直接決定和影響光催化氧化（huà）的能力。
TiO2通用技術說明：
UV光（guāng）催化氧化工藝處理汙染物是一種新（xīn）興的技術,其中納米TiO2 光催化應用技術工藝簡單（dān）、成本低（dī）廉（lián）,利用自然光即可催化分解細菌和汙染物,具有高催化活性、良好的化學（xué）穩定（dìng）性和熱穩定（dìng）性、無二（èr）次汙染、無刺激（jī）性、無毒等特點,且能長期有益（yì）於生態自（zì）然環境,是具有開發前景的（de）綠色（sè）環保催化技術之一.此外（wài）,由於顆粒的細微化,納米材料還具有（yǒu）塊狀材料所不具備的（de）表麵效應（yīng）、量子尺寸效應、小尺寸（cùn）效應和宏觀量子隧道效應。
TiO2的光催化機理（lǐ）：
半導體的能帶結構通常是由一個充滿電（diàn）子的低能價帶和一個空的高能（néng）價帶構成,它（tā）們之間的區域稱為禁（jìn）帶.禁帶是一個不連續區域.當能量大於或等於半導體帶隙能的光波輻射此半導體催化劑時,處（chù）於價帶的（de）電子(e)就會被激發到導帶上,價帶（dài）生成空（kōng）穴(h+),從而在（zài）半導體表麵產生具有高度活性的空穴/電（diàn）子對.TiO2 的帶隙能為3.2ev,相當於波長為 387.5nm光子的能（néng）量,當TiO2受到（dào）波長小於387.5nm的（de）紫外光照射時,處於價帶的電子就會（huì）被激發到導帶上去,從而分別在價（jià）帶和導帶上產生（shēng）高活性的（de）光生（shēng）空穴和光生電子.在電場的作用下,電子與空穴發生分離,遷移到粒子表麵（miàn）的不同位置.熱力學理論表明,分（fèn）布在TiO2表麵的空穴可以將吸附在其表麵的OH-和H2O分子氧化成•OH.而電子(e-)具有很（hěn）強的還原性,可使（shǐ）得TiO2。固體表麵的電子受體如O2被還原.O2 既可以控製光催化劑上電子和（hé）空（kōng）穴（xué）的複合,提高反（fǎn）應效率,同時也是氧化劑,可以氧化（huà）已經羥化的反應產物,是表麵羥基自由基的另一個來源.締合在Ti4+表麵（miàn）的•OH的氧化能力（lì）是水體中（zhōng）存在的氧化劑中較強的,能夠氧化大部分（fèn）的有（yǒu）機汙染物及部分無（wú）機汙染物,將其z終降解為CO2、H2O等無害物質,並（bìng）且對反應物幾乎（hū）無選擇性,因而在光催化氧化中（zhōng）起著決定（dìng）性的作用.從理論上（shàng）說,隻要半導體（tǐ）吸收的光能大於等於其帶隙能,就能被激發產生光生電子和光（guāng）生空穴,該半導體就可以（yǐ）作為光催化劑,但從實際來看（kàn）,一個具有實際應用價值的半導體光（guāng）催化劑須具有化學穩定性、光照穩定性和選擇性及較寬的光譜響應,同時還要考慮到材料成（chéng）本和光匹（pǐ）配性等因（yīn）素。
