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UV光催化氧化工藝處理汙染物是一種新(xīn)興的技術,其中納米二氧化鈦光催化應用技術工藝簡單、成本低廉,利用自(zì)然光即可分解細(xì)菌和汙(wū)染物,具有高催化活性、良好的化學(xué)穩定性(xìng)和熱穩定性、無二次汙染、無刺(cì)激性(xìng)、無毒等特點,且能長期有益於生態自然環境,是具有開發前景的綠色環保催化技(jì)術(shù)之一。此外,由於顆粒的細微化(huà),納米材料還具有塊狀材料所不具備的表麵效應(yīng)、量子尺寸(cùn)效(xiào)應、小尺寸效應和(hé)宏觀量子隧道效應。
熱(rè)力學理論表明,分布在二氧化鈦(tài)表麵(miàn)的(de)空穴可以將氫氧(yǎng)根和水分(fèn)子氧化成氫(qīng)氧(yǎng)根離子,而電子具有很強的還原性,可使得固體(tǐ)表麵的電子受體如氧(yǎng)氣被還(hái)原成臭氧根離子,既可以控製(zhì)光催化劑上電子和空穴的複合,提高反應效率(lǜ),同時也是(shì)氧化劑(jì),可以氧化已經烴化的反應產物(wù),是表麵烴基(jī)自由基的另一個來源。從理論上來書,隻要半導體吸收的光能大於等於其隙能,就能被激發產生光生電子和光生空穴,該半導體(tǐ)就可以作為光催化及,但從實際來看(kàn),一個具有實際應用(yòng)價值的半導體催化劑須具(jù)有化學穩定(dìng)性,光照(zhào)穩定性和選擇性及較寬的(de)光譜響應,同時還要考慮UV光催化氧化工藝的材料成本等因素。